ユニポーラトランジスタ（FET）

ユニポーラトランジスタ（FET）とは？

ユニポーラトランジスタは、別名電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor）で、一般的には英名の頭文字から取った「FET」と呼称されるトランジスタの一種です。

ユニポーラトランジスタには、一般的に2種類が存在します。

それぞれ「接合型FET」、「MOS型FET」と呼ばれています。

接合型FETは、P型半導体とN型半導体を接合して構成されていますが、バイポーラトランジスタのように層構造になっていません。

ゲートにかける電圧を増やし、空乏層が大きくなるとドレインとソース間の電子の通り道（チャネル）が狭くなります。接合型FETではこの働きによってドレイン電流の大きさを制御しています。

次にMOS型FETですが、MOSという名称は「Metal Oxide Semiconductor」の略であり、その名の通り電極（金属）、酸化膜、半導体で構成されています。

接合型と同じくゲートに印加する電圧でドレイン電流を制御しますが、MOSFETに関しては、半導体内のキャリアを絶縁膜付近に集めることで反転層と呼ばれる領域を形成し、電流を流す仕組みとなっています。

電子回路においてFETが担う主な役割は、バイポーラトランジスタと同じく増幅作用とスイッチングです。

同じ役割ではありますが、FETは電圧駆動であることから、バイポーラトランジスタと比べスイッチングが速く、消費電力が少ないという特徴があります。

このような特徴から、スイッチング用途にはFETが、デジタルICにはほとんどの場合MOSFETが使用されています。