SiC半導体

SiC半導体とは

SiC半導体は、シリコン（Si）と炭素（C）の化合物によって構成されている半導体です。

シリコンカーバイド（SiC）は従来のシリコン（Si）半導体に比べて、絶縁破壊電界強度が10倍、エネルギーギャップが3倍、その他にも優れた性能を有しており、Siの限界を超える半導体材料として大変注目されています。

SiC半導体の特徴

SiCは前述の通り絶縁破壊電界強度が高いため、～数千Vまでの高耐圧を実現することができます。

また、不純物濃度を高くすることができるため、ドリフト層を薄くする＝オン抵抗を低減できます。
オン抵抗が低いということは損失を少なくするという効果と、チップ面積を小さくすることにもつながります。
大電力を扱う際にモジュールを使用する事がありますが、SiCのパワーモジュールはSiと比較すると約1/10程度になります。