IGBT

IGBTとは

IGBTは "Insulated Gate Bipolar Transistor"の頭文字を取った略語で、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも言われています。
IGBTはパワー半導体の一種で、その名の通りMOSFET構造とバイポーラ構造の特徴を併せ持ったトランジスタです。

IGBTの特徴

IGBTは入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラ構造の電子デバイスで、低飽和電圧（パワーMOSFETの低オン抵抗）と、比較的速いスイッチング特性を両立させたハイブリッド型のトランジスタです。

MOSFETは優れたトランジスタですが、耐圧性が弱点としてあります。
これを克服したのがIGBTで、高耐圧でありながら低損失という特長を持っています。
ただし、IGBTはスイッチング速度に優れているとはいっても、MOSFETに及ばず、より高価であるため、使用するシーンに応じて使い分けるのが望ましいです。