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商品紹介

デバイスプログラマは、NOR、NANDをはじめとするフラッシュメモリ、シリアルフラッシュ、フラッシュマイコン、EPROM、EEPROM、各種モジュール等半導体メモリ(ROM)にデータの書込み、消去、書換え等を行うことができます。 お客様の使用デバイスや書込み状況にあわせて、設計・開発部門から量産現場でお使いいただけるモデルを各種揃えています。 対応デバイスはデバイスリストにてご確認ください。 デバイスリストに無い場合はお問い合わせください。

特長

新製品eMMCメモリ専用プログラマ『AF9750』です。 最新規格HS400モードに対応。Ver.5.0以上のeMMCに対して200MHzDDRインタフェースによる高速処理を実現します。
・eMMCメモリ高速書込み
 ・JEDEC HS400規格のVer.5.0以降のeMMCメモリに対し200MHzDDRインタフェースによる高速書込みを実現します。
 ・512Gbit(64GB)(P+V) 約1,330秒 約21秒/GB
  ※デバイスにより異なります。
・BOOT書込みや拡張CSDレジスタ編集に対応
 ・パーティション設定やEnhanced属性の設定はPCアプリケーションソフトにて標準対応。書込み情報はプロジェクトファイルにて保存・呼び出し。各種レジスタ設定に対応。デバイス情報や本体のアップデートファイルもWEBから無償ダウンロード可能です。
・バッファメモリ 標準1Tbit(128GB)
 ・有償オプションにて拡張可能。
・最大20個同時書込み
 ・小型ながら大容量eMMCの量産に有効です。
・USB3.0による高速データ転送
 ・1GBデータ転送(PC→プログラマ)約11秒
 [使用PC]OS:Windows10 Pro 64bit(20H2) CPU:Core i7 RAM:8GB
  ※転送時間はお使いのPCにより異なります。
  ※転送時間にはチェックサムの処理時間も含まれます。
・USB 2.0 / 3.0、RS-232C、LANによるPCや制御機器と接続可能

商品名
eMMCメモリ専用高速GANGプログラマ
書込み対象デバイス
各社eMMC Ver 5.0以降
スピード
バッファメモリ
標準1Tbit(128GB)引取りオプションにより拡張可能
同時書込み数量
20個
スロット数
20スロット
デバイスファンクション
COPY ・ERASE ・BLANK ・PROGRAM ・VERIFY ・B.P.V ・E.P.V ・P.V
プログラム電源(Vcc)
Vcc:+3.3V Max:1A/1個 Vccq:+1.8V Max:500mA/1個
外部インタフェース
USB 2.0 / 3.0、RS-232C、LAN
データバス
モニタ表示
入力電源電圧/周波数
AC100~240V/50~60Hz
消費電力
最大300VA以下
寸法※突起物除く
W223×D290×H108㎜
質量※添付品除く
約3.5kg

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