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TND10V-431KB00AAA0

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ステータス:量産品
バリスタ
データシート

※画像はイメージです

商品紹介

電子回路の組込まれた機器の原因不明の事故や誤動作は、外来サージによるものが多くこれらのサージやノイズから機器を保護することは重要です。 TNR は酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする非直線抵抗素子で、これらのサージやノイズ等の異常電圧吸収素子として開発された新しいタイプのバリスタです。 従来のバリスタと異なり、サージ電流耐量および非直線係数が非常に大きく、ある臨界電圧以下では抵抗が非常に高くほとんど電流が流れません、その臨界電圧を超 えると急激に抵抗値が低下し大電流を流します。このような特性から異常電圧の吸収、雷サージの吸収等、電子・電気機器の保護素子として大きな効果を発揮致します。

特長

応答性に優れ高信頼性 海外安全規格認定品(UL、CSA、VDE) 一般用、各種サージ吸収に最適

用途

電源サージ対策 誘導性替え開閉サージからの半導体・ICの保護および接点火花消去対策 信号伝送線サージ対策

品目
ディスク形セラミックバリスタTNR
シリーズ名
V
パッケージ
リード
梱包形態
小袋(バラ)
バリスタ電圧測定電流(mA)
1
バリスタ電圧(V)
430(387~473)
最大許容回路電圧(AC)(Vrms)
275
最大許容回路電圧(DC)(V)
350
最大制限電圧測定電流(A)
25
最大制限電圧(V)
710
最大平均パルス電力(W)
0.4
エネルギー耐量(2ms)(J)
55
サージ電流耐量(8/20μs)(A)/2回
2500
静電容量(参考値)(1kHz)(pF)

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