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TRS10E65F,S1Q(S

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ステータス：量産品
SiCショットキーバリアダイオード
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商品紹介

650 V/10 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L

SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。

IF(DC) (Max)(A)
10
VRRM (Max)(V)
650
VF (Max)(V)
1.6
VF (Typ.)(V)
1.45
VF (Typ.)(V)
50
ピン数
2
回路数
1
内部接続
シングル
面実装区分
N
パッケージ名
TO-220-2L

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