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TW027N65C,S1F(S

( )

ステータス:量産品
SiC MOSFET
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商品紹介

N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.

高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC (シリコンカーバイド)を使用したMOSFETです。

極性
N-ch
VDSS(V)
650
ID(A)
58
Ciss(pF)
2288
ピン数
3
面実装区分
N
パッケージ名
TO-247
パッケージ寸法幅 x 長さ x 高さ (mm)
15.94 x 20.95 x 5.02
パッケージサイズ(mm2)
333.94

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