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※画像はイメージです
商品紹介
N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC （シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
- 極性
- N-ch
- VDSS(V)
- 650
- ID(A)
- 40
- Ciss(pF)
- 1362
- ピン数
- 3
- 面実装区分
- N
- パッケージ名
- TO-247
- パッケージ寸法幅 x 長さ x 高さ (mm)
- 15.94 x 20.95 x 5.02
- パッケージサイズ(mm2)
- 333.94
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